Stage: Développement de procédé de gravure GaN pour les transistors de puissance H/F CEA

Ce stage aura pour objectif le développement de procédés de gravure plasma pour les matériaux III-N tels que le GaN, dans le cadre d’un projet de fabrication de transistors de puissance. Ce stage Ingénieur/master (Bac+5) se déroulera dans l’environnement salle blanche 200mm du LETI. Il se décomposera en 2 parties : 1. Développer les procédés de gravure pour le GaN suivant les spécifications visées en terme de vitesse de gravure, de profil, et d’endommagement. 2. Evaluer cet endommagement engendré par les procédés de gravures afin de les optimiser, en utilisant les outils de caractérisations adaptés (mesure de C(V), Dit, Résistivité, XPS, AFM, MEB,…) Vous travaillerez de manière transverse avec les équipes procédé du Leti et l’équipe «Procédés Innovants pour dispositifs Opto et Nano Electroniques» du laboratoire LTM-CNRS présent le site du CEA. Etre autonome sera essentiel pour profiter au mieux de la variété des compétences disponibles. De bonnes connaissances en matériaux et en caractérisation physico-chimiques seront nécessaires pour aborder cette problématique. Des notions de micro-électroniques, notamment sur les techniques de fabrication utilisées dans ce domaine, seront un plus. Vous serez également attendu sur votre capacité à rendre compte de votre travail régulièrement par des présentations et rapports. Envoi des CV et LM : patricia.pimenta-barros@cea.fr PROFIL DU CANDIDAT Bac+5 Ingénieur/Master 2 Matériaux, nano caractérisation LOCALISATION DU POSTE SITE Grenoble LOCALISATION DU POSTE France, Auvergne-Rhône-Alpes, Isère (38) VILLE GRENOBLE CRITÈRES CANDIDAT DIPLÔME PRÉPARÉ Bac+5 - Diplôme École d'ingénieurs DEMANDEUR DISPONIBILITÉ DU POSTE 07/02/2022